Bugun, 17-sentabr kuni O’zbekiston Milliy universiteti qoshidagi Yarimo’tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy tadqiqot instituti huzuridagi ilmiy darajalar beruvchi PhD.30.08.2018.FM/T.01.12 raqamli Ilmiy kengashning navbatdagi majlisida fizika-matematika fanlari nomzodi, dotsent Yo’lchiyev Shahriyor Husanovich ilmiy rahbarligida Fizika kafedrasi o‘qituvchisi Boboyev Akramjon Yo’ldashboyevich o'zining “n-(GaAs)-p-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y geterotuzilmasining tuzilmaviy xususiyatlari, elektrofizik va fotoelektrik xossalari” mavzusidagi 01.04.10 – yarimo’tkazgichlar fizikasi ixtisosligi bo‘yicha falsafa doktori (PhD) ilmiy darajasini olish uchun yozilgan dissertatsiya ishi muhokamasi bo’lib o’tdi.

Dastlab, ilmiy darajalar beruv­chi Ilmiy kengash raisi, O’zbekiston Milliy universiteti qoshidagi Yarimo’tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy tadqiqot instituti direktori, professor Sh.B.Utamurodova qatnashchilarni birinchi yig’ilish kun tartibi bilan tanishtirdi.

Tadqiqotchi A.Boboyev dissertatsiyasining maqsadi va ahamiyati bilan ta­nishtirar ekan, nanoobyektli, ko’ptarkibli geterotuzilmalar olishning texnologik shart-sharoitlari, ularning fizik xususiyatlarini tahlil qilib, o’zining tadqiqot natijalarini taqdim etdi.

Ushbu tadqiqot ishiga fikr va mulohaza bildirgan rasmiy opponent­lar fizika-matematika fanlari doktori, dotsent Dadamirzayev Muhammadjon G’ulomqodirovich hamda fizika-matematika fanlari doktori, dotsent Turg’unov Nozimjon Abdumannopovich ish­ning yutuq va kamchiliklari haqida ga­pirib, dissertantga o‘z maslahatlarini aytib o‘tdilar.

Dissertant asosiy taqrizchilarning chiqishlariga o‘z munosabatini bildirgach, dissertatsiya ishi bo‘yicha so‘zga chiqqan norasmiy opponentlar tadqiqot ishi­ning dolzarbligi, ushbu ish yarimo’tkazgichlar fizikasi yo‘nalishida navbatdagi yutuq ekanligi, mikroelektron va optoelektron mahsulotlar sanoatini rivojlantirishda ushbu ishning ahamiyati xususida o‘z fikr-mulohazalarini bildirib o‘tdilar.

Dissertatsiya ishi muhokamasi yakunlangandan so‘ng Ilmiy kengash a’zolari A.Boboyevning “n-(GaAs)-p-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y geterotuzilmasining tuzilmaviy xususiyatlari, elektrofizik va fotoelektrik xossalari” mavzusidagi fizika-matematika fanlari bo’yicha falsafa doktori (PhD) ilmiy darajasini olish uchun yozilgan tadqiqotiga 100 foiz yoqlab ovoz berdilar va OAK tomonidan bel­gilangan talablarga to‘la javob berishi va dissertant fizika-matematika fanlari bo’yicha falsafa doktori ilmiy darajasiga munosib ekanligi e’­tirof etildi.